在CPU性能测试中，天工 A100T处理器星源科技版的跑分中达到了61637分。
湾积电版本58193分。
格罗方德版本56279分。
联华电子55428分。
让人出乎意料的是，星源科技的性能跑分最高，比湾积电高了6%。
在功耗方面，星源科技HFOB结构的工艺先进性更是体现得淋漓尽致。
在持续高强度运行一小时后，星源科技生产的晶片功耗稳定在4.4瓦左右，机身温度为39摄氏度。
湾积电的晶片功耗则在5.2W左右，温度达到了 43摄氏度。
格罗方德和联华电子的晶片功耗更高，分别为5.6W和5.8W，机身温度也相应地达到了45摄氏度和46摄氏度。
看完测试视频的网友一脸茫然！
同一款处理器，差异有点大！
他们本以为星源科技刚成立没多久，工艺应该不成熟才对。
万万没想到，工艺水平最高的竟是星源科技！
这.不科学啊！
梁劲松见时机成熟，跟着发了一条图文格式的动态。
「星源科技在制造天工 A100T处理器时，采用了一种全新的电晶体结构，内部命名为Hybrid FinFET on Bulk架构，简称HFOB结构。
我们在不显着牺牲成本和良率的前提下，通过引入部分FinFET和Soi技术的优点，打造一个性能、功耗、密度全面超越传统28nm HKMG Planar技术的混合工艺，即混合体硅鳍式场效应电晶体架构。
对关键逻辑路径，如CPU、GPU核心，以及高漏电单元使用FinFET结构，这能极好地控制漏电流现象，允许工作电压从0.9V降至0.7V甚至更低，从而实现巨大的功耗优势。
对RF器件、IO器件、和非关键逻辑仍使用改良版本的Planar HKMG技术，不仅避免了为所有器件重新设计库和IP的巨大成本，还保留了模拟器件在Planar结构下的优秀性能。」
梁劲松见洋洋洒洒写了一大堆，看得网友眉头直皱。
「每一字都认识，但连在一起，却不知道是什幺意思。」
「元芳呢？你怎幺看？」
「回禀大人，在下只懂拳脚，不懂微电子工程技术。」
「作为一名在半导体行业深耕十年的研发人员，坦白说，我也只能看懂一部分，浅浅解读一下梁总的意思：
这款28nm HFOB架构方案的设计很大胆，它通过将部分更先进节点工艺，可能是20纳米或16纳米的FinFET技术下移到28纳米的平台中，进而创造出一个在性能、功耗和密度上全面超越经典28nm HKMG的『超级28nm』工艺。
