1958年，德州仪器和仙童半导体的分别发明了集成电路，将多个电晶体集成到单一晶片上。
但哪怕是仙童的创始人罗伯特，他也只觉得未来能够集成数千个电晶体顶天了。
无论如何都想不到能集成到纳米级。
更别说此时华国对电晶体的认识还仅仅停留在不稳定的毫米级。
「咳咳，抱歉，我说两句。」谢希德举手道：「我认为我们不能浪费时间，要勇于做出判断，咳咳。」
谢希德是麻省理工学院的博士，也是复旦第一位女校长，常年从事表面物理和半导体物理的理论研究，56年被借调到燕京大学参与筹建半导体专业组的工作，58年的时候又回到申海。
她比燕京的专家们到的还要更早一点，在身体不适的情况下还是选择举家来攀枝花工作。
她说：「从理论的角度，它应该就是电晶体。
基于量子力学，硅的禁带宽度是1.12 eV和晶格常数是0.543nm，这二者已经被精确测定了。
电晶体的核心是PN结，通过掺杂控制电子和空穴的运动。
PN结的数学模型，描述了载流子扩散和漂移。而固体物理研究表明，材料的物理性质可能随尺寸减小而改变。
薄膜和微粒的研究已涉及微米级效应。海森堡测不准原理和波粒二象性表明，电子在微小尺度下表现出波动性，具体到纳米级会出现量子隧穿效应。
也就是硅晶体的晶格常数约为0.543纳米，原子间距在0.2-0.3纳米之间。理论上，电晶体的最小尺寸可能接近几个晶格单位，也就是纳米级。
一个10纳米的结构能够包含18-20个硅原子。
而载流子运动，电子和空穴的平均自由程在硅中约为10-100纳米。
若电晶体尺寸缩小至此范围，载流子仍可有效传输信号，理论上支持纳米级运行。
PN结的耗尽区宽度会随掺杂浓度增加而减小。固体物理表明，通过高掺杂和强电场，耗尽区可缩小至纳米级，维持开关功能。
电子的德布罗意波长在常温下约为10到50纳米。当器件尺寸接近这一尺度，量子效应会显着影响电子行为。
这暗示了电晶体可能在纳米级运行，但也可能面临干扰。而树莓派的存在，让我意识到，电晶体就是能够在纳米级运行。
另外固体物理研究表明，尺寸减小时，表面原子占比增加，这为小型化提供了理论依据。
也就是说如果制造工艺突破微米限制，电晶体尺寸是可以接近晶格尺度。
我去年看了费曼的书，他在《底部有无限空间》中提出，物理规律允许在原子尺度操作器件。
里面提到了用原子堆砌电路的可能性，这与纳米级电晶体理念契合。
你们明白吗？虽然我们不知道它是怎幺制造出来的，是怎幺实现的制造工艺的突破，但我认为就是电晶体。
这是理论物理给我的启发。
这设备，我相信阿美莉卡有，苏俄也有，我们应该是最晚拿到的，我们如果要追赶他们，无论是复刻，起码做到微米级的电晶体，也得尽快确定方向。
我以我的专业判断，它就是纳米级的电晶体，我们得沿着电晶体集成化、小型化的路线走下去。
我们没有多条技术路线探索的时间，也没有多条技术路线同时并进的资源。
我们现在这里看似很多人，但如果分散，只会把白白的时间窗口浪费掉。
我认为它就是电晶体！而且就是纳米级的电晶体以我无法想像的方式堆迭在这块小小的设备上。」
林燃如果能听到当下华国科学家们的推测，一定会欣慰的开怀大笑。
(本章完)
