「算了。」栾文杰低声感叹，声音透过面罩显得有些沉闷，「这东西就算能展出，我们怕是也抢不过国博……」
一个玩笑，让现场的气氛轻松了不少。
但很快，他又话锋一转。
「我之前去华芯国际调研的时候，听他们的技术专家提到过。」栾文杰提出了一个更长远的问题，「在当前硅基CMOS工艺的物理框架下，制程的极限大概在5nm或者3nm附近，如果按照刚才计算的107.22nm等效波长来推算……」
「是否意味着，未来我们这台ArF-1800，也有可能通过技术优化，用于生产下一代，甚至下两代的产品？这关系到我们战略窗口期的长短！」
这个问题，张汝宁已经等待了很久。
「跟刚才那张表上的情况一样，业界宣传的『5nm』、『3nm』这些节点名称，仍然是制程叠代的代称，跟实际的最小物理特征尺寸并非严格的一一对应关系。」
他解释道：
「所谓『5nm』节点实际对应的特征尺寸，业界预估会在25nm左右，至于『3nm』，则可能对应到15-18nm区间。」
张汝宁隔着面罩整理了一下护目镜，继续深入技术本质：
「对于25nm的特征尺寸，ArF-1800仍然可以通过双重曝光技术实现，就是良品率会比单次曝光生产30nm级别的产品时有所下降，工艺整合的复杂度也会提升，不过技术路径是确定存在的。」
尽管隔着面罩，但众人还是能感觉到，栾文杰原本皱着的眉头舒展开来。
而张汝宁语气却变得慎重起来：
「至于20nm以下级别的特征尺寸，将是另一个维度的挑战……实际上，随着晶片制程逼近硅材料的物理极限，量子隧穿效应将变得无法忽视，电晶体将难以有效关断，漏电流剧增，同时微观层面的不确定性会急剧放大，导致器件性能的波动性大幅增加。」
「一般认为这个临界尺寸会在10nm左右，但考虑到衍射极限的存在，以及任何工业产品都不可能做到真正意义上的完美无缺，就算是使用EUV光刻机，要想稳定量产特征尺寸在20nm以下的产品，也会非常非常困难，而且良率会不可控制的降低。」
随后，他做了一个总结性的判断：
