首先，结合他最擅长的量子力学，参考光的波粒二象性，通过量子限域效应制备亚纳米级yo量子点，利用其量子尺寸效应增加钉扎势阱深度。
具体的实现路径需要再行商榷。
第二种，参考薛定谔方程和波动力学模型，在nbsn薄膜表面外延生长拓扑绝缘体，比如bise，利用其受拓扑保护的表面态抑制磁通线运动。
然后是最后一个办法。
许青舟曾经参与过探月工程，觉得能参考极端环境稳定性设计理念，在电子设备预植入he离子辐照诱导纳米空腔，通过空腔捕获辐照缺陷并动态修复晶格，也就是采用离子注入技术生成可控空腔阵列，利用分子动力学模拟验证空腔对缺陷的捕获效率。
“得，现在该选一个了。”
三个实验其实都有技术难度，时间有限，只能先进行其中一个，突破现在瓶颈，再考虑接踵而来的小问题。
许青舟轻轻转着手中的签字笔，脑子在飞速运转，对比三种方案的优劣，可行性。
半晌过去。
许青舟的目光落到第二种方案上。
【拓扑超导界面工程。】
难度相对较低，只需要在现有设备上添加角分辨光电子能谱（arpes），以此来验证拓扑态和超导态耦合，再结合蒙特卡洛模拟优化界面电子传输路径。
他先前进行相应的计算，发现在做拓扑设计时，bise会和nbsn的晶格产生失配现象，从而导致界面缺陷，而这恰恰能和卡森他们研究的过渡层相结合，通过过渡层，将失配度降低2%。
一旦搞定，至少能把目前的性能提高50%以上，能达到商业级水平。
假如把三个方案都搞定
