「同时，你们这个办法，液态硅中的碳化硅浓度达到饱和后，会快速长大，最终在石墨基体表面形成一层较厚的碳化硅层。」
为什幺高振东这幺笃定？因为他前世论文里看到过这种方法产品的SEM（扫描电子显微镜）和XRD（X射线衍射）结果，这两种技术，都是能观察样品微观组织的，毫无疑问现在的碳研院，没有这个条件。
听见高振东找到了问题，段工先是一喜，然后又是一忧，光找出问题，没有办法也不够啊：「高主任，那用什幺方法好？」
高振东道：「我的建议，是用液相渗硅的办法，这个办法在我看来，和你们现在使用的方法一样，具有操作简单、设备成本低、适合大批量生产等优点，与其他方法相比，这个办法也能较大程度保留石墨基体，有利于维持石墨的自润滑性和导热性能。」
「但是它相比你们现在使用的方法，最大的区别是它的硅化石墨的碳化硅主要存在于石墨空隙中，而不是像你们使用的方法一样在硅化石墨表面有一层较厚的碳化硅层，这层较厚的碳化硅层，应该就是热裂情况严重的元凶。」
这句话，高振东也是有依据的，国产SRM材料的公开论文中，就提到过仿制C-17δ过程中，解决的最大问题就是渗硅层过厚而产生的热裂问题，只是没有说用的什幺手段。
在高振东看来，殊途同归，自己提的这个方案，应该也是能解决这个问题的。
段工一听大喜，行家一出手，就知有没有，这几句话句句打在要害上，一听真有新的工艺方法，连忙追问：「高主任，那你说的这个液相渗硅法，具体是怎幺弄？」
高振东一点不藏私：「碳化硅和硅配比3:2作为硅源原料，反应温度1600℃，真空环境下反应0.5h，你看，是不是很简单？」
此话一出，段工差点没一笔杆子扔过去，对对对，你说得都对，是很简单。
不过想想，这个办法真的是很简单啊，甚至都想不出有什幺能比这个更简单的了，如果能有效，那可就太好了，成本是真的低。
高振东没有给段工扔笔杆子的机会，继续说道：「这样，顺便能解决你们的第二个问题，氧化铝的使用问题。」
「氧化铝？」
「没错，氧化铝虽然理论上能细化 SiC晶粒，使碳化硅层更加致密，但实际上，氧化铝过量时反应会产生大量气体，这些气体逸出的时候，会破坏碳化硅层的致密性，对硅化石墨的性能产生不利影响，这也会降低你们成品的性能。」
这下碳研院的人是明白这高主任是个真正的高手，碳研院其他技术人员双眼闪着小星星，看着两位大佬交流，运笔如飞。
高振东接下来的话，让碳研院的人有点很不好意思：「接下来，我再说第三个问题。」
