但要想在短短几个月时间里拿出成果，必定还得向其中倾注大量心血。
「算是走了点捷径吧。」栗亚波谦逊地回答道，「半导体生产领域已经有了推广分子束外延工艺积累的经验，尤其是III-V族半导体晶体，像氮化硼，现在工艺已经比较成熟，甚至已经开始替代传统沉积法了……」
常浩南走到实验室电脑前，看着上面的工艺流程图：
「启发归启发，半导体材料的外延生长和金属单原子层的外延生长，环境要求和物理机制差别很大……你肯定也不是照搬的。」
说到这里，他突然觉得有些感慨。
类似的对话，当年在自己和杜义山之间发生过无数次。
而如今，身份调转。
「这个倒是。」栗亚波点头，走到电脑旁，熟练地打开了一项分子动力学工程文件，「所以我对衬底和生长材料的界面结合机制做了关键调整……主要是放弃传统的强化学键连接，选择范德华力作为主要的层间相互作用力。」
他指着屏幕上放大的原子结构模型：
「您看，这个镉基的Cd（0001）衬底是一种严格的二维材料，表面没有悬挂键。也就是说，它不受晶格常数必须严格匹配的限制。」
屏幕上，Cd（0001）晶面的原子排列清晰可见，表面光滑平整。
栗亚波继续解释，「所以，可以像搭积木一样，把不同性质的材料堆垛上去，最终形成形成类似绳结的稳定结构，而每一层都仍然保持各自的性质。」
常浩南此时正在检查工程文件里面的计算过程，但还是很快理解了对方的思路：
「层内是强化学键保证材料本征性质，层间是较弱的范德华力保证堆垛的灵活性和可分离性……你后续还准备用机械剥离法或者液相剥离法来分离单层材料？」
「没错！」栗亚波见老师完全理解，脸上露出笑容，「而且这种范德华力绳结的设计自由度非常高，理论上我们可以开发出无数种组合，应用在各式各样的二维材料上。」
就在这时，实验室的门被推开。
一名助理研究员将刚列印出来的测试报告递了上来。
常浩南接过报告，栗亚波也凑到跟前。
甚至都不用翻页。
第一页上，就是报告的摘要：
·目标材料镓锗合金（Ga-Ge（0001））成功在Cd（0001）衬底上形成。
·薄膜呈现非平面二维形态。薄膜区域具有明显的1x1赝晶结构特征。
·能谱分析显示强烈的金属性特征。同时检测到薄膜内部存在一定应力，建议后续通过退火工艺优化消除。
