× MTA-01设备在衬底表面检测到了含量约15%-25%的三维纳米团簇，所幸这些团簇分布不均，主要集中于特定区域，理论上可通过后期精细切割进行有效分离。
「总体结果还算积极。」常浩南看着报告，难掩赞许，「首次尝试就能达到这个效果，已经非常惊喜了。」
同时他也感觉到了几分欣慰——
终于，自己的学生可以在学术界，而不是在教育界对自己造成威胁了。
栗亚波却盯着报告中关于纳米团簇的数据，眉头微锁：「老师，我在模拟计算时，特意提高了反应腔的环境温度参数，就是想抑制这种三维岛状生长，理论上不应该有这幺大的比例才对……」
常浩南闻言，立刻坐回主控电脑前，调出栗亚波设定的工艺参数和底层算法模型。、
他刚才正好看到了有关内能的部分：
「亚波，你还是稍微被半导体那边的工艺给影响到了。」
栗亚波露出不解的表情。
「你参考的氮化硼工艺，衬底是热解石墨，所以高温环境才有助于提高表面吸附原子的迁移率，同时抑制成核行为，促进二维扩展。」
常浩南指着参数，解释道：
「但我们现在的衬底是Cd（0001），反而是需要低温条件才能形成高质量的光滑薄膜」
「！！！」
栗亚波恍然大悟，脸上露出懊恼又庆幸的神色：「我明白了……当时光想着抑制吸附原子的团聚，忘了衬底本身的性质……」
说着坐到电脑前面，开始着手修改计算参数。
「瑕不掩瑜。」常浩南给出了鼓励的评价，「这次实验已经取得了突破性进展，证明范德华外延在金属二维材料制备上的巨大潜力……下一步就是研究如何将Ga-Ge（0001）进行多层堆迭，实现宏观尺度的负折射透明材料。」
他站起身：
「这项工作，我会亲自负责。」
当常浩南离开合成实验室时，才发现窗外已是夜幕低垂。
他本打算直接回家，但转念一想，又觉得不如趁热打铁，给下一阶段工作起个头。
于是，一股强烈的动力驱使他改变方向，朝着电梯间走去。
但就在电梯门打开的那一刻，上午那份耐高温涂层报告突然闪现在了常浩南的脑海当中！
(本章完)
