第1607章 两手准备
参观结束，一行人来到基地顶楼一间安保级别极高的专用会议室。
厚重的隔音门关闭，只剩下核心的几人。
短暂的沉默后，常浩南端起茶杯抿了一口，放下，目光直接投向吴明翰。
「吴院士，抛开继续优化多重曝光和解析度增强技术这条路不谈，在现有的193nm ArF光源条件下，要想提升单次曝光的解析度，还有没有更直接的技术路径？」
手握负折射材料这幺个王炸，那最根本的解决方案当然是走向表面等离子体光刻，由携带高频信息的倏逝波取代低频的传输波成像，直接掘了当前半导体生产体系的祖坟。
但这种事情相当于从零开始盖高楼，连理论基础都要重新来过，显然不是一朝一夕能完成的。
所以为了应对眼前随时可能出现的危机，最好还是能在现有基础上，整出来点短平快的升级手段。
吴明翰一直在思索常浩南的真正目的，但这个问题实在普通，深究不出什幺东西来。
只好照常回答：
「在相同波长的光源下，不同型号光刻机，比如我们现在用的NXT:1950i和ASML更先进的NXT:2000i，它们性能差异的核心指标还是数值孔径（NA）和工艺系数。」
他拿起雷射笔，在桌面投射出一个简易的光路示意图：
「NA值，简单说，决定了光学系统收集和汇聚光线的能力，这个项越高，理论上能达到的解析度极限就越小。」
雷射笔的光点停留在象征物镜的透镜组位置：
「具体来说，NA等于底镜、浸没液和光刻胶三者折射率（n）的乘积，再乘以孔径角半角的正弦值，当然光刻胶和孔径角的设计自由度有限，所以主要是另外两项的材料。」
「我们目前使用的NXT:1950i，是氟化钙底镜，配合2G系列的浸没液，NA最高能达到1.35左右，更先进的NXT:2000i，底镜是性能更好的氟化锂钡，浸没液也是优化的3G系列，能把NA推高到1.45左右。」
吴明翰放下雷射笔，看向常浩南：
「不过，这基本就是传统技术路线的极限了。」
