10c以及10d工艺，这是智云集团在内存芯片领域的工艺代称，10c工艺的实际工艺节点为14纳米。
这也是目前全球范围内大规模量产工艺里最顶级的工艺，该工艺出现的还比较早，一度领先了四星半导体……不过四星半导体没多久就追上来了，没能形成太久的技术优势。
目前的10c工艺，是智云集团旗下各种高端内存芯片的主要量产工艺，这两年智云集团的很多终端产品里，都能找到采用该种工艺的高端内存。
目前智云集团旗下的智云储存的hbm3高带宽内存，也就是apo6000显卡上使用的内存，就是采用这一工艺制造。
智云集团旗下的s系列手机，如去年发布的s20max pro旗舰级，上面采用的lpddr5内存芯片，也是采用这一工艺……智云储存旗下的lpddr5高性能高速内存，也是目前最顶级的低功耗内存，性能甚至超过了四星的lpddr5内存产品。
其原因就是来源于代工生产lpddr5内存的智云微电子，其10c工艺的所提供的卓越性能。
现在的10c工艺，依旧是目前量产工艺里的顶级工艺，当然，已经无法大幅度领先对手了。
因为四星半导体，镁光，海力士都已经陆续追上来并拥有了该级别工艺……他们的同级别工艺有好有坏，但是整体处于同一级别，区别不是很大。
现在，智云微电子在内存工艺领域里，已经是全力朝着更先进的10d工艺冲击，其工艺节点为12纳米。
智云微电子的内存芯片的工艺划分，早期是采用30纳米，25纳米，20纳米！
后来进入十纳米工艺时代后，第一代采用10a工艺，实际工艺节点为18纳米。
第二代10b工艺，实际工艺节点为16纳米。
第三代10c工艺，实际工艺节点为14纳米……这一代工艺开始，智云微电子开始采用euv光刻机制造内存芯片的部分核心工序。
而第四代的10d工艺，实际工艺节点为12纳米……
这个10d工艺的技术水平是非常高的，属于目前世界上技术最先进的内存芯片工艺，没有之一，哪怕是四星半导体想要追上来都困难的很。
而且这种工艺对先进设备的要求也非常高，10d的很多工序里，已经需要大规模使用最先进的heuv-300c光刻机了。
之前的10c工艺节点里，可用不着这种顶级家伙，用的还是heuv-300b光刻机，并且也只是在少量的核心工序里使用。
而10d工艺，则是需要更先进的heuv-300c光刻机，并且应用工序更多……这意味着性能更优秀，但是制造成本也更高。
主要是heuv-300c光刻机贵……这种光刻机是目前海湾科技旗下，也是全球范围内性能最顶级的量产型号光刻机，其1.5纳米的套刻精度能够轻松用于制造等效五纳米/七纳米工艺的芯片……这款光刻机，乃是智云微电子里现在以及未来用于大规模制造euv单次曝光工艺的主力光刻机。
至于更老旧的heuv-300b，虽然光刻性能达标，但是生产效率不太行，每小时产能只有一百二十片，现在都已经停产了……有了更先进的heuv-300c，海湾科技都不愿意继续生产heuv-300b了。
这也和海湾科技自己的策略有关，因为euv的镜片组产能有限，一年在只能生产这么点euv光刻机的情况下，他们更倾向于客户采购最先进，价格更高，利润更高的产品。
而不是用宝贵的euv镜片组产能，去生产成熟便宜，利润也比较低的产品。
所以，海湾科技把heuv-300b光刻机的价格标的比较高，简单直白的告诉客户：别买这玩意了，来买heuv-300c啊！
最后客户一算，heuv-300c虽然贵很多，但是综合使用成本性价比还要更好，所以也不抗拒。
别说智云微电子了，现在中芯采购euv光刻机，都是采购heuv-300c型了，只是他们没啥钱，买的很少。
现在的heuv-300c光刻机还是相当不错的，都能够用来勉强生产等效三纳米工艺的芯片了……智云微电子的第一代三纳米工艺，就是用这款光刻机做的。
当然，只是初步满足等效三纳米工艺的需求，良率以及成本上还是有所不足。
如果要更好，更快，更低成本的制造等效三纳米乃至二钠米等一系列euv双重曝光工艺的芯片，那么就需要更新型，目前海湾科技那边刚完成原型机研制，还没有开始供货的heuv-300d！
这是一款套刻精度达到了惊人的1纳米的顶级euv光刻机，专门为了euv双重曝光工艺而研发。
不出意外的话，这也将会是heuv-300系列光刻机的终极产物……因为到这个阶段，光源波长已经没办法缩减了，单次曝光的金属间距被限制在了26纳米左右，用在单次曝光制造五纳米工艺就是极限了。
