要制造三纳米工艺的话，就需要进行双重曝光，这也是300d光刻机的主要技术进步特征，进一步缩小了套刻精度，使得双重曝光的良率更高，成本更低。
然后到了二纳米工艺呢？一点五纳米工艺？一纳米工艺呢？
现在的euv光刻机可就不太好用了。
怎么办？换个方向进一步缩小光刻机的极限金属间隔！
光刻机里，影响光刻精度的参数有好几个，其他几种在duv光刻机时代基本已经到极限了，euv光刻机则是使用缩小波长的方式来获得技术进步。
而现在euv的光源波长技术路线也差不多玩到头后，剩下最后一个可以提升空间的就只有‘na数值孔径’这么一个参数了。
如heuv-300系列光刻机里，数值孔径都是统一的0.33！
现在海湾科技那边的下一代光刻机，就是打算在数值孔径上做文章，提升数值孔径，比如放大到0.55甚至更大，进而获得更小的金属间隔。
实现单次曝光就制造十六纳米以下甚至更小的金属线宽！
该计划也就是海湾科技里的heuv-800光刻机，一种大数值孔径euv光刻机。
海湾科技的光刻机，其产品编号都是统一有规律的。
i线光刻机，编号为hi-100系列……
krf光刻机，编号为hkrf-200系列
duv干式光刻机，编号为hduv-400系列。
duv浸润式光刻机，支持双重曝光的则是为hduv-500系列，而支持四重曝光的则是hduv-600系列。
euv光刻机，因为当年徐申学一心奔着euv光刻机去，立项非常早，因此比duv光刻机还要更早一些，所以老早就拿到了heuv-300的系列编号。
然后前几年立项发展的纳米光刻机，则是用掉了hnil-700的编号
而新一代的大数值孔径euv光刻机，则是采用了新的heuv-800系列编号。
这种新一代的heuv-800光刻机，估计也就这两年内搞出来原型机，至于什么时候能实际应用，还要看后续研发情况……但是短时间内够呛，因为这东西太贵，还需要继续技术攻关，把成本拉下来，尤其是制造成本给拉下来，要不然半导体制造工厂使用成本过于高昂，难以为继。
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内存芯片的制造，其实和逻辑芯片也是有点类似的，也严重依赖先进光刻机的性能。
有了heuv-300c光刻机，才有了10d工艺的诞生，目前智云微电子旗下的工程师们，正在加班加点解决10d工艺的大规模量产问题，不出意外的话，今年秋天左右，第一块采用10d工艺的内存芯片就会面世，明年春天左右，就能够大规模出货！
到时候，智云集团旗下的智云储存，将会在全球范围内，再一次掀起高端内存领域的战争……
不仅仅是在内存领域，在闪存领域也同样如此，智云储存这边正在大力推动一百层级别以及一百五十层这两个工艺节点的3dnand的成本下降……随着成本的持续下降，那么售价也会持续降低……这意味着价格战！
这一时间表，也是安排在明年春天左右！
智云储存正在憋大招呢……试图同时在闪存以及内存领域里掀起一场波及全球储存芯片市场的战争！
智云储存去年开始，就已经开始储备现金流，就等着10d工艺搞定后，在内存芯片领域里玩价格战和技术战。
同时在闪存芯片领域里也同样玩价格战和技术战。
双管齐下，直接来一场规模浩大的储存芯片战争！
这一次，怎么着也要重创一家内存厂商……直接干死可能性不大，但是想要重创其中一家，把其中一家挤下第一梯队还是有可能的。
